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igbt的概念最早是在70年代末提出来的,80年代初由美国ge公司和rca公司分别研制成功。从1986年起,igbt开始得到正式生产并逐渐形成了系列化。在随后这些年,igbt的技术不断更新,1988年出现的是第一代,称为平面穿透型;1990年出现了第二代,为改进的平面穿透型;1992年为第三代,即沟槽型;1997年出现了第四代,称为非穿透型;2001年出现了电场截止型;2003年出现了沟槽型电场截止型……

半导体厂商们在igbt技术上不断推陈出新,是有其原因的,那就是igbt的使用范围十分广泛。大到轨道交通、航空航天、电力、石油等国民经济支柱部门,小到变频家电、数码相机、电磁炉等消费电子产品,统统都能够找到igbt的身影。这样庞大的市场,自然能够引得无数天下英雄竞折腰。

然而,要掌握igbt的制造技术,也并非易事。igbt是一种工作原理非常复杂的器件,几乎集成了所有半导体器件的基本结构。要制造出满足要求的igbt器件,涉及到光刻、氧化、离子注入、热扩散、淀积多晶硅等一系列的微电子制造工艺。为了降低导通电阻,工程师们不断降低单元胞的尺度、增加并联的元胞数量,为此,igbt的制造工艺规则从5微米下降到了0.5微米,而晶片尺寸则由4英寸提高到6英寸、8英寸。

所有这些生产工艺,对于当年的中国来说,都是十分困难的,而且几乎没有在短期内形成突破的可能性。也正因为此,周林磊并不对秦海寄予太多的希望,在他看来,秦海能够解决超级电容、超导线圈、永磁材料等障碍,就已经是十分难能可贵了,再把igbt这样的困难强加在秦海身上,未免有些太强人所难了。

听到周林磊的话,秦海笑着问道:“周工,航母弹射器上使用的igbt器件,可不是寻常货色,国外能卖给咱们吗?”

“事在人为吧。”周林磊其实也没有太多的把握,只能这样回答道,“实在买不到大功率的igbt,有一些功率相对低一些器件,通过串联的方法组合起来,也勉强能够达到要求了。”

“可是这样一来,我们还是受制于人啊,周工真的不想自己掌握igbt的核心技术?”秦海继续问道。

周林磊道:“怎么可能不想?可是,半导体加工工艺上的困难有多大,小秦你了解吗?咱们国家的半导体技术和国外的差异可不是一星半点,而且这方面的技术,也不是随便冲一下就能够冲上去的。”

“周工说得对。”秦海道,“不过,我们可以试一试嘛,igbt这么大的市场,咱们完全拱手送给国外,太可惜了。日后咱们要搞自己的输变电技术、高铁技术,如果igbt这东西完全掌握在别人手上,人家随便卡一下咱们的脖子,咱们就难受了。”

“你打算怎么做?”周林磊认真起来了,他听出秦海并不是随便说说而已,而是有了一些自己的想法。

秦海道:“我打算双管齐下,一方面动员国内的半导体研究机构和厂家共同攻关,另一方面则是引进技术,缩短我们与国外的差距。用三到五年的时间,初步形成我们自主的igbt产业,先满足自己的需要,然后再考虑追赶世界先进水平。”

“引进技术这条路子,恐怕走不通。”周林磊断言道,“其实科工委这边早就有这个想法了,也找国外几家在igbt技术上领先的企业谈过,希望能够引进一些技术。可是,人家根本就不愿意和我们合作,涉及到技术转让的问题,一概免谈。”

“我知道这一点。”秦海道,“国外厂商看准了咱们不掌握igbt的技术,希望拿这个来向我们卖高价,当然不会愿意转让技术。不过,如果我们直接把拥有这类技术的企业买下来呢?那么转让不转让技术,岂不就是咱们说了算了?”

“买下来?”周林磊咂舌了,“小秦,你这也太异想天开了吧?几家国际顶尖的igbt生产厂商,都是半导体领域的巨头,别说他们不会出售,就算要出售,以咱们国家的财力,也买不起吧?”

“哈哈,周工,你还真说对了。不过,这些顶尖的厂商咱们买不起,二线厂商咱们是不是可以试试呢?”秦海笑呵呵地问道。

“怎么,小秦,你有目标了吗?”周林磊听出了秦海话中有话,忍不住问道。

秦海郑重地点了点头,说道:“没错,我已经盯上了一家,英国的老牌半导体企业,尼斯公司。”(未完待续……)R1292

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